光刻胶微结构高深宽比静电偏转微细加工电子束曝光机光学工艺像差系数旋涂电子轨迹
摘要：TN305．7 2005064472 超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究=Process study of high-aspect-ratio ultrathick SU-8 microstrUCt ure[刊, 中]/张金娅(上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜 与微细技术教育部重点实验室．上海(200030)),陈迪…∥ 功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-251-254 采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备 了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两 个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开 裂和倒塌等问题,优化了SU-8胶工艺,获得了最大深宽比 为27:1的微结构。图6表1参7(于晓光)
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