发光器件发光二极管光提取效率蝇眼透镜测试方法国家重点实验室现代光学仪器光通量板上芯片技术芯片尺寸
摘要：TN312．8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]／申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室．北京(100084)),胡飞…∥光电 子·激光．-2005,16(4)．-384-389 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极 管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN 与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取 效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的 正面出光的芯片光提取效率至少高20％;同时,低GaN光 吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增 加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下 时光提取效率较高。图6表3参13(严寒)
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