碳纳米管阵列最佳阵列密度有限元软件光学技术应用光学静电场分布国家重点实验室边界条件模型小波变换
摘要：TN151 2004064414 基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度=Analysis on the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[刊,中]/解滨(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022)),陈波∥光学技术.—2004,30(4).—403-405 利用有限元软件ANSYS,对碳纳米管的最佳阵列密度进行了分析。针对碳纳米管阵列静电场分布的特点,建立了碳纳米管的模型,确定了模型的边界条件。为了便于对计算结果进行对照,在分析时采用的参数是:阵列周期T=2 000 nm,单根碳纳米管长度L=1μm,顶端半径r=2nm。通过计算得到了单根碳纳米管的场增强因
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