发光学发光效率有机电致发光器件宽禁带半导体光电子介观物理国家重点实验室驱动电路大学物理学白光
摘要：TN312.8 2004010015 MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED=InGaN/GaNMQW violet-LED grown by LP-MOCVD[刊,中]/李忠辉(北京大学物理学院,介观物理国家重点实验室,宽禁带半导体研究中心.北京(100871)),杨志坚…∥发光学报.—2003,24(1).—107-109 利用LP-MOCVD系统生长了InGaN/GaN MQW紫
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