英国科学家纳米级乌克兰硒化超薄半导体材料铟研发
摘要：纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料，其厚度从一层（～0．83nm）到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主——英国曼彻斯特大学教授安德烈-海姆的实验室进行的。日前乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂志上发表联合文章《高电子迁移率、量子霍尔效应和纳米级超薄硒化铟中的异常光学响应》，认为硒化铟的实际应用有可能导致纳米电子学的革命。
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