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EUV光刻工艺全球专利发展态势研究

作者:王丹; 车晓璐euveuvl极紫外极紫光光刻微影

摘要:EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展战略的制定提供参考和帮助。

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中国发明与专利

《中国发明与专利》(CN:11-5124/T)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国发明与专利》杂志本着弘扬创新精神、服务专利事业的办刊宗旨,制定了以发明与专利为大视点、以科技与财富为热卖点、以人文与时尚为结合点、以新闻与争鸣为切入点的采编方针。

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