一种基于噪声抵消技术的高线性LNA设计

作者：刘廷敏三阶互调失真分量抵消二阶互调失真分量抵消噪声抵消宽带低噪声放大器高线性

摘要：本文提出了一种基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器(LNA)。通过互补CMOS并联推拉结构的采用,抵消掉二阶互调失真分量(IMD2)。改进的噪声抵消电路也可以有效地抑制三阶互调失真分量(IMD3)。虽然噪声和失真的最优化抵消点不同,但是噪声系数并没有恶化。基于标准的90 nm CMOS工艺对LNA进行流片实现,该LNA在0. 1~3. 9 GHz频段内,取得了21. 5~24. 3 dBm的二阶输入截止点,2. 6~3. 8 dBm的三阶输入截止点,13. 6 d B的最大功率增益,1. 9~3. 8 dB的噪声系数。该LNA在1. 1 V电压的供电下,消耗了19. 5 m W的功耗,芯片面积仅为0. 0095 mm~2。

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