作者:于凌宇 刘夏飞记忆元件忆阻器忆容器忆感器研发突破
摘要:该文阐述了纳米记忆元件的内涵和工作机理,探讨了记忆元件的国内外研发进展,深入分析了记忆元件对电子科技的重大突破。为我国紧密跟踪记忆元件科技前沿,精准找好切入点,奋力抢占制高点提供一定的技术基础。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《中国电子科学研究院学报》(CN:11-5401/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国电子科学研究院学报》主要发表电子信息系统研发和综合集成领域内的技术和学术研究论文。聘请行业内工程院院士等资深专家以及近年来在此领域内卓有成就的中年专家组成编委会。办刊宗旨:注重研究成果,提高理论水平。
杂志详情