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HPM对军用电子设备的损伤机理分析

作者:陈卫 邓潘 程玉宝hpm耦合效应损伤机理防护

摘要:针对HPM对军用电子设备的严重威胁,给出了HPM典型特征参数,重点分析了其对军用电子设备的损伤机理,包括HPM对电子设备的"前门"耦合效应、"后门"耦合效应,耦合能量的计算及损伤效应的分类,最后对军用电子设备的HPM防护给出了普适的防护措施。

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中国电子科学研究院学报

《中国电子科学研究院学报》(CN:11-5401/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国电子科学研究院学报》主要发表电子信息系统研发和综合集成领域内的技术和学术研究论文。聘请行业内工程院院士等资深专家以及近年来在此领域内卓有成就的中年专家组成编委会。办刊宗旨:注重研究成果,提高理论水平。

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