作者：赵正平gan微电子hemt器件gaas二维电子高功率密度可靠性sic
摘要：2.1可靠性研究的进展 在半绝缘SiC衬底上形成的GaNHEMT器件在高功率密度、高压工作、高的二维电子器浓度和高导热等方面均比GaAs有优势,但由于本征的材料与二维电子器形成所独有的特性也同时使它面临和GaAs不一样的、独具特色的,
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