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湿法氧化工艺对VCSEL器件性能的影响

作者:李海军; 钟景昌; 郝永琴; 赵英杰; 马建立湿法氧化垂直腔面发射激光器尖晶石结构应力

摘要:在精确控制气体流量、温度等条件下对样品进行了湿法氧化实验.在SEM下观察了高铝氧化层的微观结构.讨论了高铝氧化限制层中氧化产物体积收缩产生的多孔结构对氧化反应的作用,以及收缩应力对有源区的影响.分析了氧化后器件串联电阻变大的原因.综合考虑这些因素,结合器件结构优化氧化层的设计,制备出了阈值电流低的、性能优良的VCSEL器件.

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中国电子科学研究院学报

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