作者：林玲; 徐安怀; 孙晓玮; 齐鸣阻挡层离子注入
摘要：本文分析了InGaP／GaAs异质结双极晶体管（HBT）微波器件研制中的一些重要问题，优化了发射结阻挡层厚度，解决离子注入实现器件隔离的问题，设计制备出发射极尺寸为（3μm×40μm）×3的HBT单管，并进行了测试。
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