作者：徐军忠; 查晓宇; 王勇; 韩静文; 唐厚君脉冲宽度调制碳化硅逆变器开关频率
摘要：随着电力电子新器件制造技术的发展,基于碳化硅(siliconcarbide, SiC)器件的三相电压源逆变器(voltage source inverters,VSIs)正在得到越来越广泛的应用。然而,随着开关频率的提高,SiC逆变器将会带来更大的电磁干扰以及更多的硬开关损耗,影响SiC逆变器的可靠性以及功率密度的进一步提高。因此,针对上述问题,该文提出一种适用于SiC逆变器的新型脉宽调制(pulsewidthmodulation,PWM)策略,并且通过统一的双极性载波PWM方法,对算法进行简易实现。经过详细的理论推导,可以得出该PWM策略在全功率因数范围内使SiC逆变器的开关损耗最小,并且在整个调制度范围内抑制了SiC逆变器的共模干扰源。最后,通过实验测试,验证所提PWM策略的可行性与先进性。
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