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SiP化合物结构和电子特性的第一性原理研究

作者:潘孟美 钟小丽 曾腾sip体弹性模量电子特性能带第一性原理

摘要:应用第一性原理方法研究了SiP化合物的结构和电子特性,并且将研究推广到其他第四族元素磷化物(IV-P).在研究的各种结构中,SiP单斜晶体结构是能量最低、最稳定的结构.SiP的体弹性模量比CN和CP化合物以及相对应的第三族元素氮化物和磷化物要小.SiP不同的结构问能发生相变,其单斜晶体结构(monoclinic)在压强为6.2GPa,15.0GPa,19.3GPa,20.0GPa和10.3GPa时分别转变成GeP型结构、Rhorn.型结构、B—InS型结构、CsCl型结构和NaCl型结构.能带计算结果显示SiP单斜晶体结构(monoclinic)和GaSe型结构是间接带隙分别为1.123eV和0.123eV的半导体,SiP其他结构则显示出金属特性.其他化学比为1:1的第四族元素磷化物(IV-P)具有相同的性质.

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原子与分子物理学报

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