作者：夏子恒; 师全林; 解峰; 凡金龙; 李雪松; ...240am半衰期阱型hpge探测器
摘要：240 Am的半衰期对准确测量241 Am(n,2n)240 Am反应截面具有重要作用,当前评价的数据50.8(3)h是对240 Am的987.8 keVγ射线用Ge(Li)探测器跟踪测量6 d的结果,测量时间不到3个半衰期,使得测量结果的不确定度偏大。本文利用Geant4模拟软件建立了阱型HPGe探测器的测量模型,模拟计算了不同Pb吸收厚度下240 Am高能γ射线的探测效率,确定使用阱型HPGe探测器配合吸收X射线和低能γ射线的Pb吸收体可有效提高240 Am高能γ射线的探测效率。根据Geant4模拟计算的结果,Pb吸收体厚度为1 mm时,对240 Am的888.8 keV和987.8 keV两条特征γ射线的探测效率分别为14.1%和13.3%。在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上通过242 Pu(p,3n)反应生产了240 Am,制备了约700 Bq的240 Am测量源,用上述方法跟踪测量240 Am的888.8 keV和987.8 keV两条特征γ射线的强度,时间超过18 d,用最小二乘法拟合得到其半衰期为50.79(5)h,结果与评价结果一致,但减小了不确定度。
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