D—T中子照射下含硼聚乙烯球泄漏γ能谱测量

作者：郭海萍; 安力; 牟云峰; 王新华; 陈渊中子照射聚乙烯泄漏含硼屏蔽性能模拟计算mcnp误差范围b4c计算值测量值反冲

摘要：为了更清楚地了解含硼聚乙烯的屏蔽性能,用反冲电子法测量了D-T中子照射下的不同B4C含量的聚乙烯球的泄漏γ能谱,并用MCNP/4A程序和ENDF/B-Ⅴ库数据进行模拟计算.实验测量值和计算值在误差范围内符合得较好.

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