作者：张珺 郭宇锋 黄示 姚佳飞 林宏 肖建降低表面场电荷共享击穿电压一维模型
摘要：分析降低表面场（reduced surface field，RESURF）横向功率器件耐压机理，假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区，建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型．该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性，并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点．在此基础上，导出了一个新的RESURF判据，进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限．解析结果与实验结果吻合较好，验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性．
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