作者：易扬波; 孙伟锋; 孙智林; 陈畅; 陆生礼功率集成电路功率器件半导体工艺pdp扫描驱动芯片mosfet量刻蚀等离子平板显示器
摘要：提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法--余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.
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