作者：宋清; 黄美浅; 李观启钛铌酸锶钡薄膜光敏特性吸收光谱频率特性薄膜电阻器硅衬底铌酸锶钡sio2光照特性禁带宽度
摘要：利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-x SrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性.实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7 eV,且可见光区域存在连续的吸收峰.该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性.光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程.通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200 lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27 ms.
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