作者:王炜; 王波涛; 董晓刚; 薛钰芝zao薄膜工艺条件
摘要:采用Sol—Gel工艺在玻璃基片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al^3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜ZnO:Al(ZAO薄膜).并研究了退火温度、Al掺杂量等对其光电性能的影响.结果表明,溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.75mol/L、掺杂量1.5atm%,镀膜层数10层(厚度约为136nm)、退火温度600℃.
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《影像科学与光化学》(CN:11-5604/O6)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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