作者：李子军; 李岗tlbr表面磁极化子电子自旋自陷能磁场特性
摘要：讨论了电子自旋对表面磁极化子特性的影响.应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能E tr 磁场特性的影响.以TlBr晶体为例所作的数值计算结果表明:电子自旋使E tr分裂为二,且随磁场B的加强,分裂间距增大;若电子与光学声子耦合强,自旋量子数mS取-1/2时,E tr 随B的加强而增大,mS取1/2时E tr 随B的加强而减少;若电子与光学声子耦合弱,不论mS取何值,Etr都随B的加强而减少;不论电子与光学声子耦合强还是弱,电子自旋作用对Etr的影响都随B的加强而增大.
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