作者：杨和梅; 姚正军; 闫凯; 陈丹丹无机非金属材料al2o3薄膜直流反应磁控溅射氩氧比介电性能
摘要：以纯铝为靶材，在不同氩氧比例下，采用直流反应磁控溅射方法制备Al2O3薄膜。利用X射线衍射（XRD）、能谱（EDS）、扫描电镜（SEM）和精密阻抗分析等方法检测薄膜的组织结构、化学成分和介电性能。结果表明，在250℃的低温条件下，不同氩氧比例的Al2O3薄膜都为非晶结构。随着氧分量的增加，Al2O3薄膜的表面由平滑致密变得粗糙，化学计量失配度增大。在氧分量较小的气氛下，Al2O3薄膜均匀致密，化学计量失配度较小，Al／O原子比接近2／3。随着氩氧比的增大，Al2O3薄膜的介电常数减小和介电损耗增大，当氩氧比为3：1时，Al2O3薄膜的介电常数较大（ε=7．9—10．3），介电损耗较小（tanδ〈0．2），薄膜的介电性能相对较好。
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