硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析

作者：李宏煦; 王淀佐硫化矿细菌浸出氧化机理电化学半导体溶液界面能带理论

摘要：许多硫化矿物为半导体,硫化矿氧化浸出过程实际是-半导体-溶液界面电子或空穴转移的过程.基于传统的半导体界面氧化理论,系统分析细菌存在时硫化矿-溶液界面电子或空穴转移步骤,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体-溶液界面电子及空穴转移模型,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理.

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