作者：王丽军; 郭媚媚; 王小平金属复合膜场发射电子束气相沉积
摘要：结合真空电子束气相沉积(electron beam evaporation deposition, EBVD)和磁控溅射(magnetron sputtering deposition, MSD)技术,分别在Al2O3陶瓷衬底上制备以Cu膜为发射层的单一Cu膜和Mo/Cu复合膜及Mo/Ni/Cu复合膜3种结构阴极薄膜。基于二极管场发射器件结构,研究了各样品的场发射特性。利用场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscopy, FE-SEM)和能谱仪(energy dispersive spectrometry, EDS)对样品表面形貌和成分进行分析。结果表明:Mo/Ni/Cu复合膜的阈值电场为3.3 V·μm-1;最大电流密度为63.0μA·cm-2;比在相同条件下制备的单一Cu膜和Mo/Cu复合膜具有更好的场发射特性,表明金属复合膜结构有效的改善了单一Cu膜的场发射性能。
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