作者：尚海波; 丁玲; 叶祖超; 谢江华硅单晶空洞型原生微缺陷热场温度梯度
摘要：在集成电路飞速发展的过程中，特征线宽逐渐缩小，并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP，直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度，可以有效改善单晶的COP，改善后的重掺Sb衬底经外延后，COP被“覆盖”，而不对外延层造成影响。
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