作者：吕志军; 张锋; 刘文渠; 董立文; 宋晓欣; ...光刻石墨烯方块电阻关键尺寸
摘要：介绍了光刻法石墨烯的制备方法,分析了光刻工艺过后石墨烯方阻升高的不良机理,并给出了相应的优化方案。首先,根据半导体工艺研发制程完成石墨烯图案化工艺方案,并对工艺方案进行有效优化。接着,分析了石墨烯光刻法图案化后方阻升高的机理。最后,通过改善工艺方案,增加金属湿法刻蚀的步骤,解决石墨烯方阻升高的问题。实验结果表明:通过光刻法制得的石墨烯具有更高的图案精细度,关键尺寸可达到5μm。双层石墨烯膜的方阻在光刻法图案化后,通过工艺改善可以保持原始膜最初阻值约330Ω/,甚至可以降低到270Ω/左右。光刻法图案化石墨烯技术,既能保证石墨烯图案尺寸精度,又可以保持甚至降低石墨烯方阻值,适合于量产开发。
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