作者：周学芹; 杨丽; 刘政明; 林熙乾光配向固烤时间uv曝光能量光学性能残影
摘要：采用光配向技术使PI获得配向能力并制得IPS型LCD,通过AOI光学自动检测设备以及DMS光学测量系统对在不同PI固烤时间和UV曝光能量下获得样品的预倾角、对比度及穿透率进行了量测,并研究了各条件下样品的残影（Image Sticking）性能。结果显示：在900~2 700s,400~600mJ/cm~2范围内,固烤时间和曝光能量对LCD光学性能影响较小,但对残影性能影响较大,IS随曝光量增大有恶化的趋势,且该趋势在高亚胺化程度下趋于平缓;调整固烤时间及曝光能量可以获得较佳的残影性能,固烤时间1 800s,曝光能量400~500mJ/cm~2条件的LCD残影性能较佳。
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