作者：康冬茹; 叶芸; 汪江胜; 吕珊红; 辛琦; 郭...图形化氧化锌纳米枝电沉积法场发射
摘要：为了减小场发射的屏蔽效应，采用图形化技术对氧化锌（ZnO）纳米枝阵列进行调控，并研究图形化ZnO枝阵列的性能。首先采用光刻法在IT0导电玻璃上制备图形化ZnO种子层，再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列。利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等，并测试其场发射性能。研究结果表明，制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列，直径为330μm左右，纳米ZnO主干平均直径为400-500nm，发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构，并且具有良好的场发射性能，开启场强为2．15V／μm，场增强因子为16109。该图形化生长ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法，在场发射应用领域表现出较好的前景。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
