作者：余娟; 夏桐; 徐明杰; 雷博程; 张丽丽tio2第一性原理能态密度光学性质介电函数
摘要：运用第一性原理赝势方法计算了纯TiO2、单掺Zr以及S-Zr共掺TiO2体系的电子能带结构、态密度和光学性质．计算结果表明，纯TiO2禁带宽度为2．092eV，掺杂Zr元素后TiO2体系禁带宽度为2．128eV，S-Zr共掺杂TiO2后体系禁带宽度为1．394eV，掺杂后的能带跃迁类型都为间接跃迁；掺杂Zr体系、S-Zr共掺杂体系与纯TiO2相比吸收图谱依次向低能方向移动，发生红移．
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