作者：王平平; 雷博程; 徐明杰; 张丽丽; 王丽娜tio2hf第一性原理能带态密度光学性质
摘要：利用第一性原理密度泛函理论，计算了纯TiO2及不同浓度Hf元素掺杂TiO2后的电子能带结构、态密度和光学性质．计算结果表明：在电子结构上，掺杂Hf元素后，禁带宽度减小，跃迁类型为间接跃迁，且导带和价带变密集，费米能级附近主要由O的2p态、Ti的3d态、Hf的5d态贡献；在光学性质上，Hf杂质的掺入使TiO2的吸收谱出现较小的红移现象，其吸收谱的高能区域，吸收峰的峰值有大幅降低；在无入射光情况下，纯TiO2静态介电常数值为4．411，掺杂不同浓度的Hf后，静态介电常数分别为3．439，2．954，由于杂质的掺入，静态介电常数明显减小．
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