作者：程花蕾; 肖健; 高鹏; 严云云; 周万城cacu3ti4o12陶瓷相结构微观形貌介电性能
摘要：采用传统固相法制备了CaCu（3-x）ZnxTi4O12（CCTO,x=0,0.04,0.08,0.12）陶瓷。用X线衍射仪和扫描电子显微镜研究了Zn^2＋掺杂含量的变化对CaCu（3-x）ZnxTi4O12陶瓷的相结构、微观形貌的影响规律,并研究了CaCu（3-x）ZnxTi4O12陶瓷的低、高频介电性能。结果表明,少量Zn^2＋的加入影响CaCu（3-x）ZnxTi4O12陶瓷的相结构和微观形貌。在低频范围内,CaCu（3-x）ZnxTi4O12陶瓷均具有巨介电常数（〉104）,且CaCu2.92Zn0.08Ti4O12陶瓷的介电常数温度依赖性小,介电损耗最小,这加速了CCTO陶瓷在陶瓷电容器方向应用的潜力。在微波频段（5.85~8.2GHz）范围内,CaCu（3-x）ZnxTi4O12陶瓷均具有介电弛豫现象,CaCu（3-x）ZnxTi4O12陶瓷的介电常数实部随掺杂量的增加而减小,介电常数虚部和损耗对应的频率变化趋势与实部一致。
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