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助熔剂法生长GaPO4晶体

作者:李静; 梁曦敏; 徐国纲; 赵洪阳; 王继扬助熔剂法gapo4光谱性质

摘要:采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1070℃.采用紫外可见分光光度计测量了晶体的室温紫外近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱。结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH基团的产生。

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压电与声光

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