作者：张凯; 顾豪爽; 李位勇; 胡光; 胡明哲磁控溅射氮化铝薄膜c轴择优取向薄膜体声波谐振器
摘要：采用直流磁控反应溅射，在Pt电极上沉积了A1N压电薄膜，并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射（XRD）、电镜扫描（SEM）、原子力显微镜（AFM）测试表明，制备出的A1N薄膜具有高C轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面；用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性，即串、并联谐振频率分别为1．22GHz、1．254GHz，机电耦合系数为6．68％，带宽20MHz。
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