作者：李静; 王继扬; 赵守任; 谭浩; 程绣凤; 宋...助熔剂法光谱性质热膨胀化学腐蚀
摘要：采用助熔剂法生长了Yb:GdYAl3(BO3)4晶体.测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱.该晶体在960 nm和974 nm处存在两个吸收带,适合InGaAs泵浦;在1 002 nm和1 044 nm处各存在一荧光谱峰.研究了晶体的热学性质,平行于c轴方向的热膨胀系数约为a轴方向的5.4倍.采用化学腐蚀光学显微法研究晶体缺陷证明Yb:GdYAl3(BO3)4中存在孪晶结构.
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