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宽调谐外腔式1.53μm近红外半导体激光器研究

作者:高志强; 黄彦; 张宇露; 李艳华; 彭泳卿闪耀光栅外腔式半导体激光器saf型芯片宽调谐

摘要:采用闪耀光栅作为模式选择元件研制1.53μm外腔式半导体激光器,研究光栅衍射角、温度、电流对激光器输出特性的影响和P-I特性.利用单角度面SAF(Single-Angle-Facet)型芯片、改进型Littrow外腔结构实现了激光器宽调谐、单纵模激光输出,连续运转模式下最大调谐范围132nm(479cm^-1),最高输出功率60mW;脉冲运转模式下(占空比50%)最大调谐范围126nm(533cm^-1),最高输出功率26.8mW;连续模式下获得最窄线宽25pm.

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遥测遥控

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