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本征ZnO纳米线的原位生长及其对痕量H2S气体的敏感性

作者:丁培; 黄海云; 徐涛; 郑丹; 许鹏程; 陈莹zno纳米线h2s气体检测纳米尺寸效应气体传感器

摘要:文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H_2S的气敏性显著提高。在相同H_2S气体浓度(5 ppm)下,50 nm ZnO纳米线的响应值是200 nm的5.4倍,检测下限为50 ppb,灵敏度均值达到6.4×10-2ppm-1;20 nm ZnO的响应值比50 nm ZnO的响应值进一步增大,检测下限达到10 ppb,是50 nm ZnO的5倍,检测灵敏度均值为2.0×10-3ppm-1,是50 nm ZnO的32倍。这些主要是由于纳米尺寸效应的影响。

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仪表技术与传感器

《仪表技术与传感器》(月刊)创刊于1964年,由沈阳仪表科学研究院有限公司主管,沈阳仪表科学研究院有限公司主办,CN刊号为:21-1154/TH,自创刊以来,颇受业界和广大读者的关注和好评。 《仪表技术与传感器》主要报导仪器仪表、敏感元件及传感器、电子元器件、检测设备、自动化控制系统以及相关的工艺技术、应用技术等,是中国仪器仪表行业最具影响力的期刊之一。

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