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MOSFET静电场传感器电场-电流特性的研究

作者:陈新安; 黄庆安mosfet静电场传感器

摘要:MOSFET静电场传感器是一种固态传感器,没有任何机械移动部件。文中研究了MOSFET静电场传感器的电流-电压特性和电流-电场特性。在给定的电场下,电流-电压特性曲线分为了两部分:非饱和区和饱和区。当MOS-FET静电场传感器工作在非饱和区时,漏-源电流的变化量ΔIDsat与测量电场成正比。但MOSFET静电场传感器工作在饱和区时,漏-源电流的变化量ΔIDSat与测量电场成非线性关系。但是,当测量电场比较小时,漏-源电流的变化量ΔIDS与测量电场成正比。

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仪表技术与传感器

《仪表技术与传感器》(月刊)创刊于1964年,由沈阳仪表科学研究院有限公司主管,沈阳仪表科学研究院有限公司主办,CN刊号为:21-1154/TH,自创刊以来,颇受业界和广大读者的关注和好评。 《仪表技术与传感器》主要报导仪器仪表、敏感元件及传感器、电子元器件、检测设备、自动化控制系统以及相关的工艺技术、应用技术等,是中国仪器仪表行业最具影响力的期刊之一。

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