作者：黄静; 刘江峰; 董娴; 余振; 赵志强; 陆晓...隐裂碎片功率衰减填充因子模型参数串联电阻
摘要：选取在我国已经服役20年、质量可靠的一批单晶组件,对其使用寿命末期的功率衰减情况进行分析研究.对132块1996年Siemens Solar生产的单晶组件SM55,进行EL以及功率的相关测试,发现其功率平均衰减为26.7%,年平均衰减率为1.54%;采用简单的线性拟合函数方法,对功率的衰减与电流的衰减及填充因子的衰减进行拟合,发现功率的减少主要由填充因子的减少造成;研究分析组件电池片中隐裂和碎片的分布规律,发现隐裂和碎片不是引起组件功率衰减的主要因素;结合组件之前服役的环境条件,分析推断组件功率衰减主要来源于串联电阻的增加.
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