作者：刘学杰; 曾海清; 赵玲玲; 任元单粒子迁移第一性原理计算吸附能迁移激活能
摘要：通过第一性原理计算对Ta、Si、N单粒子在TAN（001）表面的迁移行为进行了研究，计算了单粒子在TaN（001）表面的吸附能及其沿迁移路径的能量差，由此得到单粒子的迁移激活能。Ta、Si、N单粒子在TaN（001）表面的迁移激活能分别为0．561、1．386、0．940eV，其迁移路径与Ti、Si、N单粒子在TiN（001）表面的迁移路径相似，但迁移要困难一些。
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