作者：刘林; 任韧bifeo3la05gd017sr033coo3异质结光电特性脉冲激光沉积法
摘要：采用脉冲激光沉积法在LaAlO3基底上制备了 BiFeO3／La0.5Gd0.17Sr0.33CoO3异质结，并研究了该异质结的光电特性。结果表明： La0.5Gd0.17Sr0.33CoO3薄膜表面光整均匀，为BiFeO3薄膜的生长提供了良好的条件；当温度高于200K时， BiFeO3／La0.5Gd0.17Sr0.33CoO3异质结电阻随着温度的升高而降低，表现出半导体特性；该异质结的光学禁带宽度为3．543eV，故在室温下采用紫外激光照射时，异质结内部有光生载流子产生。
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