作者：刘晓明 李洪涛 李美成 赵连城xpsinassb扩散
摘要：用分子束外延（MBE）方法生长了InAsSb／InSb多量子阱结构，并对其进行250℃、8h的退火。采用X射线光电子能谱（XPS），通过Ar离子刻蚀对样品退火前后进行了深度分析，研究退火对In、As、Sb3种元素价态和纵向元素浓度分布的影响。结果表明，长时间低温退火增强了表面氧化，促使As和sb元素发生次层原子向表层的扩散和样品内部该两种元素的扩散。
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《稀有金属材料与工程》（CN：61-1154/TG）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《稀有金属材料与工程》反映稀有金属材料领域的科技成果，包括钛、难熔金属、贵金属、稀散金属和稀土金属等材料以及超导材料的机械、物理、化学性能及其加工工艺，稀有金属材料在航空、航天、舰船、军工、化工等部门的应用等。
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