作者：熊娟 顾豪爽 胡宽 吴小鹏aln薄膜射频磁控反应溅射c轴择优取向mo电极
摘要：采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向，用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明，靶基距和溅射气压的减小，衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN（002）晶面的择优取向生长。氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小，N2≥50％（体积分数）时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜。经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备。
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