作者：沈军 欧阳玲 林雪晶 谢志勇 罗爱云介孔薄膜低折射率低介电常数
摘要：采用溶胶-凝胶技术，蒸发诱导自组装法（EISA）工艺制备了二氧化硅透明有序介孔薄膜。以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作为模板剂，正硅酸乙酯（TEOS）为硅源前驱体，基片采用双面抛光的硅片，利用提拉法制备薄膜。经过表面修饰剂六甲基二硅胺烷（HMDS）修饰后，薄膜具有疏水性能，而且薄膜的二氧化硅骨架结构更稳定。由椭偏仪测得热处理后的薄膜的折射率低至1．18．而薄膜的介电常数为2．14。
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