作者：罗发; 朱冬梅; 苏晓磊; 李智敏; 周万城碳化硅复介电常数掺杂
摘要：用蔗糖、SiO2、Al2O3溶胶，利用碳热还原法合成了碳化硅粉体。研究结果表明，在1450℃；有少量碳化硅合成。随着合成温度的提高，合成产物逐步由非晶态转化碳化硅：随着合成产物中碳化硅含量的升高，合成粉末的复介电常数增大。与合成的纯碳化硅相比，添加少量Al2O3溶胶后合成的碳化硅的复介电常数明显升高，其原因在于Al、O分别替代Si、C，导致SiC晶格中出现带电缺陷所致。在N2气氛中合成的碳化硅的复介电常数明显高于Ar气氛中合成的SiC的复介电常数，这是由于N原子固溶到SiC晶格中产生带电缺陷引起的。添加较多Al2O3溶胶后，合成产物的复介电常数的实部、虚部低于添加少量Al2O3溶胶时的合成产物的复介电常数的实部、虚部。分析认为，添加较多Al2O3溶胶后，合成产物中出现一定数量的Al2O3，它的复介电常数的实部、虚部均低于SiC的，从而导致合成产物的复介电常数降低。
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