作者：张维佳; 王天民; 崔敏; 金飞; 丁照崇; 阎...ito溅射靶烧结剂掺杂
摘要：采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.
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