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镨掺杂PZT二元系压电陶瓷性能研究

作者:陆翠敏; 孙清池; 徐明霞; 王俐聪压电陶瓷元素价态相组成显微结构准同型相界

摘要:以固态氧化物为原料,采用传统方法制备错掺杂PZT压电陶瓷。通过XPS,XRD以及SEM方法分析组成为Pb1-1.5xPbZr0.54Ti0.46O3(x=0.02~0.08)压电陶瓷的元素价态,相组成以及显微结构。结果发现:合成温度900℃,可以得到钙钛矿结构。在镨掺杂为3mol%的准同型相界附近三方相和四方相并存,综合性能达最佳值:E33^T/ε0=2000,d33=418pC/N,Kp=52.9%,Qm=75。随着镨掺杂量的增加,Pr-PZT陶瓷的居里温度降低。

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稀有金属材料与工程

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