作者：于晶晶; 廖斌; 张旭热氧化法水热法泡沫铜光电化学性能
摘要：采用简单的热氧化法和水热生长法,在泡沫铜上成功制备了三维ZnO/CuO纳米树（3D ZnO/CuO NTs）阵列。利用扫描电镜（SEM）、电子能谱（EDS）和透射电镜（TEM）对3D ZnO/CuO NTs的形貌,成分以及结构进行了表征。结果表明：3D ZnO/CuO NTs是由CuO纳米线（CuO NWs,双晶结构）主干和ZnO纳米线（ZnO NWs,单晶结构）分枝构成的。通过调整ZnONWs的生长时间,得到不同形貌的3D ZnO/CuO NTs,并对其生长机制进行了分析。重点研究了3D ZnO/CuO NTs电极的光电化学性能,包括光电流密度,光稳定性和光生载流子分离/复合的过程。结果表明：随着ZnO NWs生长时间t增加,电极的光电化学性能增加,当t过长,反而下降。本研究中ZnO NWs生长的最佳时间为30 min,3D ZnO/CuONTs电极的光电流密度高达-2.78 mA·cm^-2（-0.5 V vs Ag/AgCl RE）。相比单一的CuO NWs电极,光电流密度增加了38%。并且表现出相对较好的光稳定性,具有优良的光电转换性质。这些成果显示了在泡沫铜上制备的3D ZnO/CuO NTs具有优异的光电化学性能,在光阴极材料方面具有很好的应用潜力。
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