作者：闫晗; 张佳鑫; 刘广涵; 赵紫光氧化亚铜形貌光催化
摘要：快速发展的现代工业使环境问题变得更加严重。传统的处理方法不仅耗时费力而且处理效率比较低,科研人员发现采用光催化技术处理环境污染能够很好解决这一问题。Cu2O是本征半导体、禁带宽度在2.2eV左右。然而,单个Cu2O具有更高的电子空穴,导致更低的催化效率。如今,它更倾向于将其与其他半导体结合,制备壳状结构,并修饰贵金属以减少电子-空穴复合。增加其催化活性。
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