作者：马甜甜; 乔文纳米材料氧化铟稀磁半导体磁性
摘要：从实验和理论上研究了氧空位、Fe离子价态和占位对Fe掺杂In2O3稀磁半导体铁磁性的影响。研究发现In2O3中的Fe^3＋离子倾向占据8b晶位,对室温铁磁性没有贡献;Fe^2＋离子可通过氧空位来诱导,并倾向占据24d晶位;室温铁磁性归因于24d晶位Fe^2＋离子的4s电子和3d电子的杂化。研究结果不仅清晰地给出了Fe掺杂In2O3稀磁半导体铁磁性来源的物理图像,而且提供了一种通过控制材料中氧空位含量和掺杂离子价态来调控磁性的方法。
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