三星电子公司内存芯片4gb高密度技术开发纳米电路dramddr2
摘要：近日，三星电子公司表示将利用其50纳米电路技术开发首款4Gb DDR3内存芯片，相比当前市场的DDR3产品，这款芯片将在更低的能耗下提供更高的容量。作为新一代DRAM技术，DDR3相比DDR2拥有诸多优点，尤其是能够以八倍速率传输I／O数据，而能耗却降低了30％。
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《信息系统工程》（CN：12-1158/N）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《信息系统工程》重点报道我国国民经济和社会信息化建设的方针、政策，交流信息系统建设的规划、方案和成果，介绍信息技术和应用的实例和经验，基本形成了信息技术多层次、多领域、多内容汇集一刊的特点，得到全国各级信息化领导和社会各界的充分肯定与好评。
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